SK海力士、台积电、英伟达共同开发下一代 HBM
芯片2024-08-24
半导体行业的三大巨头SK海力士、台积电和NVIDIA即将展开深度合作,共同开发下一代高频宽内存技术(HBM)。这一合作计划预计将在9月的中国台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)上正式宣布,届时SK海力士社长金柱善将发表专题演讲。三方的合作将聚焦于HBM技术的研发,以期掌握AI服务器关键零组件的制高点,HBM作为一种高性能的3D堆叠内存技术,对于A...
半导体行业的三大巨头SK海力士、台积电和NVIDIA即将展开深度合作,共同开发下一代高频宽内存技术(HBM)。
这一合作计划预计将在9月的中国台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)上正式宣布,届时SK海力士社长金柱善将发表专题演讲。
三方的合作将聚焦于HBM技术的研发,以期掌握AI服务器关键零组件的制高点,HBM作为一种高性能的3D堆叠内存技术,对于AI和高性能计算处理器的内存性能至关重要。
合作的目标是在2026年实现HBM4的量产,采用台积电的12FFC+及5纳米工艺制造HBM4接口芯片,以实现更微小的互连间距。
SK海力士一直是NVIDIA AI GPU HBM内存的独家供应商,预计在2026年NVIDIA推出的Rubin系列将正式采用HBM4技术。
这一合作将进一步巩固三方在AI半导体产业中的领导地位,并扩大与等竞争对手的差距。
此外,台积电也在加强其CoWoS-L和CoWoS-R等封装技术产能,以支持HBM4的大规模量产。
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