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DRAM,价格飙升

芯片2026-11-06
由于人工智能(AI)数据中心对内存的需求不断增长以及价格上涨,今年第三季度全球DRAM市场收入同比增长369%。价格上涨对市场增长的推动作用超过了出货量增长,三星电子以38%的市场份额继续保持领先地位。SK海力士的收入也比上一季度增长了40%以上。 根据市场研究公司Counterpoint Research于5日发布的《2026年第三季度全球内存追踪报...

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  由于人工智能(AI)数据中心对内存的需求不断增长以及价格上涨,今年第三季度全球DRAM市场收入同比增长369%。价格上涨对市场增长的推动作用超过了出货量增长,三星电子以38%的市场份额继续保持领先地位。SK海力士的收入也比上一季度增长了40%以上。

  根据市场研究公司Counterpoint Research于5日发布的《2026年第三季度全球内存追踪报告》,该季度全球DRAM收入约为2000亿美元(约合268万亿韩元),较上年同期增长369%,创历史新高。

  DRAM市场增长主要受价格上涨而非出货量增长的驱动。第三季度DRAM比特出货量增长率约为4%,但平均售价(ASP)上涨至每千兆比特(Gb)1.9美元。尽管价格上涨速度较上半年有所放缓,但高价位仍然推高了整体营收。

  Counterpoint Research 的研究主管崔正九表示:“这一轮上涨周期仍然是由价格而非数量主导的超级周期”,并且“人工智能已将内存从一种商品变成了一种稀缺的高价值资源,买家现在竞相确保供应,而不是谈判价格。”

  按公司划分,三星电子营收占比38%,继续保持全球第一的地位。继今年第一季度和第二季度之后,三星电子在DRAM市场也保持领先地位,第三季度市场份额约为38%。

  SK海力士第三季度DRAM营收环比增长超过40%。随着整体市场扩张,SK海力士的营收增速超过市场平均水平,使其得以收复年初失去的部分市场份额。美国美光科技也受益于人工智能数据中心对内存需求的强劲增长,营收同样实现增长,但其增速落后于三星电子和SK海力士。

  中国长信存储技术有限公司(CXMT)的市场份额从第二季度的10%下降1个百分点至第三季度的9%。分析指出,由于三星电子和SK海力士等主要竞争对手扩大了高附加值产品的供应,CXMT的营收增长速度相对滞后。

  在DRAM市场,通用DRAM的收入增长比高带宽内存(HBM)更为显著。虽然用于AI加速器的HBM也实现了强劲的收入增长,但通用DRAM(DDR和低功耗DRAM(LPDDR))的收入增长速度更快。因此,HBM在DRAM总收入中的份额实际上有所下降。

  按产品划分,DDR 收入比上年同期增长 500%,LPDDR 收入增长约 400%。两种产品的平均售价均创历史新高。

  Counterpoint Research 分析指出,在云端 AI 基础设施中,GPU 与 CPU 的比例已从传统的 4:1 缩小至 2:1,并正朝着接近平衡的方向发展。该公司估计,在英伟达的下一代 AI 平台“Vera Rubin”机架上,每个 CPU 插槽的 DRAM 容量可达 1.5 TB。

  在HBM市场,下一代HBM4(第六代)的供应量增加被认为是可能重塑竞争格局的关键因素。Counterpoint Research的研究总监黄敏成表示:“HBM每更新代,市场领导地位也会随之改变。”他还指出:“SK海力士曾是HBM3E市场的领头羊,但其近期的增长速度有所放缓,而三星电子的HBM4则获得了客户的积极反馈。”他补充道:“三星电子今年已经反弹,有望在明年的HBM市场重夺第一宝座。”

  预计明年存储器价格将继续上涨。Counterpoint Research预测,随着价格持续上涨,主要存储器公司将在今年第四季度创下新的业绩纪录。

  黄先生表示:“明年内存价格将保持强劲。”他补充道:“今年HBM价格涨幅落后于大宗DRAM,目前正在迎头赶上。”他继续说道:“长期协议(LTA)支撑了价格,而且由于新的大型晶圆厂要到2028年才能投产,供应短缺的情况将持续存在。”他补充道:“由于长期协议条款的差异,不同供应商的短期业绩可能会有所不同,但从长远来看,所有价格都将呈现相同的上涨趋势。”


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