长鑫G5内存量产:无EUV做到1c工艺,每片晶圆产出提升50% 长鑫科技第五代DRAM技术平台正式量产,半间距缩至11.95纳米,打入1c工艺梯队,且无需EUV光刻机。 9月20日,长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布第五代技术平台正式量产,同步展出基于该平台的24... 芯片 2026-09-21 0 5